價(jià)格
￥58,000.00
型號(hào)
PLUTO-M
品牌
PLUTOVAC
所在地
上海市 浦東新區(qū)
更新時(shí)間
2024-03-05 15:33:46
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京公網(wǎng)安備 11010802023672號(hào)
PLUTO-M 等離子體材料表面處理系統(tǒng)
研究級(jí) 實(shí)驗(yàn)室用 多功能桌面型
經(jīng)過(guò)多年技術(shù)創(chuàng)新和積累，PLUTO-M創(chuàng)新性將真空式等離子體技術(shù)應(yīng)用于各種不同領(lǐng)域的研究型操作平臺(tái)，除了實(shí)現(xiàn)常規(guī)清潔樣品和表面改性的功能外，通過(guò)添加不同的功能模塊，可以實(shí)現(xiàn)等離子體鍍膜，等離子體合成反應(yīng)，等離子體純化等功能，極大的拓展該設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域。
典 型 應(yīng) 用
污染物清洗
清洗玻璃、金屬、陶瓷、塑料等材料表面的有機(jī)物及其他污染物
表面活化
利用等離子體轟擊樣品表面，改變樣品表面張力和活性
鍍膜
采用等離子斷鍵功能的裝置，將鍍膜材料以及納米級(jí)厚度均勻覆蓋樣品表面
等離子體刻蝕
對(duì)半導(dǎo)體材料、集成電路板、PCB板、塑料制品等材料進(jìn)行刻蝕
等離子體反應(yīng)
特別的工藝手段和裝置，可以實(shí)現(xiàn)等離子體與樣品的化學(xué)反應(yīng)，并得到相應(yīng)物質(zhì)
粉體處理
粉體裝置，可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)顆粒的等離子體均勻處理，實(shí)現(xiàn)各項(xiàng)性能
PLUTO-M等離子清洗機(jī)參數(shù)(標(biāo)準(zhǔn)配置)
真空腔尺寸
不銹鋼腔體，φ210mm*230mm
電極尺寸
多控自適應(yīng)平板電極，125*125mm
等離子體發(fā)生器
RF射頻發(fā)生器，頻率：13.56MHz；自適應(yīng)阻抗匹配電源
功率
0-200W連續(xù)可調(diào)，精度1W
真空計(jì)
熱電偶真空計(jì) 0-1000mT
供氣
1路氣體，6mm國(guó)標(biāo)連接件（軟管）
控制方式
4.3寸觸摸屏，多級(jí)應(yīng)用菜單，操控簡(jiǎn)易快捷
抽氣裝置
飛躍 VRD-8，二級(jí)油泵8m3/h
外部尺寸
404*640*615mm
可 選 配 置
純鋁腔體
間距可調(diào)電極
等離子體發(fā)生器
RF 13.56MHz 300W/500W,自動(dòng)阻抗匹配電源
氣體收集裝置
用于收集等離子體化學(xué)反應(yīng)后的氣體
小型氧氣發(fā)生器
用于制備氧氣，可取代氧氣罐
氣體混合裝置
可根據(jù)客戶要求進(jìn)行混氣設(shè)計(jì)
加熱電極模塊
電極可以加熱，室溫-200℃可調(diào)
光譜儀模塊
可增加光譜儀的接口，檢測(cè)等離子體光譜變化
電極轉(zhuǎn)換模塊
可自由變換電極設(shè)計(jì)，樣品可放在射頻電極上，也可以放在地電極上，從而實(shí)現(xiàn)不同的處理效果
控制等離子濃度和方向
通過(guò)轉(zhuǎn)換電極正負(fù)極和電極之間距，可控制等離子體濃度和反應(yīng)方向
加熱電極模塊
溫度可控，可以加速等離子體處理速度和極大提高樣品處理的均勻性
沉積鍍膜模塊，改變表面特性
沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性
沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性
沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結(jié)合效果
化學(xué)反應(yīng)
氣體純化和使用等離子體與相關(guān)材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)
粉體處理裝置
用于處理微納米級(jí)別顆粒
感應(yīng)耦合模塊
感應(yīng)耦合等離子體裝置