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CCP等離子刻蝕機(jī)

價(jià)格
電議

型號(hào)
WINETCH

品牌
PLUTOVAC

所在地
上海市 浦東新區(qū)

更新時(shí)間
2024-03-05 15:42:19

瀏覽次數(shù)

    WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計(jì)的高CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng),它通過(guò)優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案,獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小,業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全,且工藝穩(wěn)定重復(fù)性佳。

    WINETCH刻蝕系統(tǒng)通過(guò)電容耦合(CCP)方式產(chǎn)生高密度等離子體,按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形、實(shí)現(xiàn)對(duì)介質(zhì)材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕。

    CCP系統(tǒng)主要由以下幾部分組成:反應(yīng)腔室、下電 、噴淋頭(上電)、射頻電源、真空系統(tǒng)、預(yù)真空室、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)與軟件、配套附件等。


    WINETCH等離子刻蝕機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn):

    -刻蝕形貌好、工藝性能優(yōu)越

    -高選擇比、高刻蝕速率

    -低擁有成本和消耗成本


    WINETCH等離子刻蝕機(jī)技術(shù)參數(shù):

    晶圓尺寸:6/8寸兼容

    適用工藝:等離子體刻蝕

    適用材料:SiO2,Si3N4,etc.
    適用域:化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等領(lǐng)域


    CCP等離子刻蝕機(jī)


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